其中，微语UiO-66-(NH-SAG)2表现出超高的质子选择性，H+/Li+高达~100，H+/Na+为~80，H+/K+为~70，是UiO-66-NH-SAG的~3倍，是UiO-66@SAG的~15倍。

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论文地址：幻架Wu,M.,Zhang,Z.,Xu,X. etal. Seededgrowthoflargesingle-crystalcopperfoilswithhigh-indexfacets. Nature 581, 406–410(2020).4：幻架新加坡国立大学中山大学Nature：通过自插层技术设计共价键结合的2D层状材料近日，在新加坡国立大学罗建平教授、StephenJ.Pennycook教授和中山大学罗鑫教授（共同通讯作者）的带领下，并与南方科技大学、丹麦技术大学、南洋理工大学和中国科学院大学展开合作，证明了在生长过程中，金属原子可以自插入到双层过渡金属硫族化合物中，产生了一类超薄共价材料，称之为ic-2D。论文地址：空穿Layerednanocompositesbyshear-flow-inducedalignmentofnanosheets（Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2161-8）7：空穿湖南大学最新Nature:二维异质结构阵列的通用合成方法近期，美国加州大学洛杉矶分校的段曦东和湖南大学的段镶锋（共同通讯作者）等人合作报道了一种可利用金属性过渡金属硫化物和半导体性过渡金属硫化物制备二维范德瓦尔斯异质结构阵列的通用合成策略。论文地址：越类Controlofzeoliteporeinteriorforchemoselectivealkyne/olefinseparations（Science，越类2020，DOI:10.1126/science.aay8447）2：北大Science：排列的高密度半导体碳纳米管阵列用于高性能电子器件今日，在北京大学张志勇教授和彭练矛教授团队等人带领下，与湘潭大学和浙江大学合作，开发了一种多重分散和排序过程，获得了极高的半导体纯度和尺寸限制的自对准（DLSA）程序，在10 cm的硅片上制备出排列整齐的CNT阵列（在9度的对位范围内），其密度可调控为每微米100到200个CNTs。

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